占有率2 の量子ホールエッジチャネルにおけるホットエレクトロン注入による非熱的状態
占有率2 の量子ホールエッジチャネルにおけるホットエレクトロン注入による非熱的状態
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由于占用率为 2 的量子空穴边缘通道中的热电子注入而导致非热状态
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
藤澤利正
中科院分区：
文献类型：
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作者：
平澤太一;鈴木光太郎;秦徳郎;佐藤裕也;秋保貴史;村木康二;藤澤利正
