S.Tanaka et al.: "Transmission Electron Microscopy Study of an AIN Nucleation layer for the Growth of GaN on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy."J.Crystal Growth. 260-3/4. 360-365 (2004)
S.Tanaka et al.: "Transmission Electron Microscopy Study of an AIN Nucleation layer for the Growth of GaN on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy."J.Crystal Growth. 260-3/4. 360-365 (2004)
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S.Tanaka 等人：“通过金属有机气相外延在 7 度偏向 (001) Si 基板上生长 GaN 的 AIN 成核层的透射电子显微镜研究”。J.Crystal Growth。
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