Impact of rounded electrode corners on breakdown characteristics of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors
Impact of rounded electrode corners on breakdown characteristics of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors
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圆角电极角对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管击穿特性的影响
DOI：
10.7567/apex.11.054102
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发表时间：
2018
影响因子：
2.3
通讯作者：
and Masaaki Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Taisei Yamazaki;Joel T. Asubar;Hirokuni Tokuda;and Masaaki Kuzuhara
