CdSe quantum dots grown on a Zn0.2Mg0.8S0.64Se0.36 barrier: MBE growth and µ-PL characterisation
CdSe quantum dots grown on a Zn0.2Mg0.8S0.64Se0.36 barrier: MBE growth and µ-PL characterisation
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在 Zn0.2Mg0.8S0.64Se0.36 势垒上生长的 CdSe 量子点：MBE 生长和 µ-PL 表征
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2010.10.116
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发表时间：
2011
影响因子：
1.8
通讯作者：
Davidson I
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Davidson I
