Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si
Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si
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使用 Si 上的 III-V NW 沟道对垂直环栅 FET 的缩放效应
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akinobu Yoshida;Hironori Gamo;Junichi Motohisa;Katsuhiro Tomioka;松尾 匠，佐々木史雄，柳 久雄;Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa
