Metallization of Mott Insulators through Percolation in Partially Filled Impurity Hubbard Model
Metallization of Mott Insulators through Percolation in Partially Filled Impurity Hubbard Model
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部分填充杂质哈伯德模型中通过渗流实现莫特绝缘体金属化
DOI：
10.7566/jpscp.30.011003
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Masao Ogata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hisatoshi Yokoyama;Ryo Sato;Kenji Kobayashi;Tsutomu Watanabe;and Masao Ogata
