スパッタエピキシー法を用いた Ge/GeSiSnヘテロ構造形成
スパッタエピキシー法を用いた Ge/GeSiSnヘテロ構造形成
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使用溅射外延方法形成 Ge/GeSiSn 异质结构
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
塚本 貴広，広瀬 信光，笠松 章史，松井 敏明，須田 良幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
安野秀治;宮田健司;三浦正志;衣斐顕;和泉輝郎;田口大，間中孝彰，岩本光正;塚本 貴広，広瀬 信光，笠松 章史，松井 敏明，須田 良幸
