High performance oxide Thin-Film Transistor fabricated using atmospheric pressure deposition method
High performance oxide Thin-Film Transistor fabricated using atmospheric pressure deposition method
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采用常压沉积法制造的高性能氧化物薄膜晶体管
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
計1名(1番)
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Furuta;計1名(1番)
