Buried dopant and defect layers for device structures with high-energy ion implantation
Buried dopant and defect layers for device structures with high-energy ion implantation
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高能离子注入器件结构的埋入掺杂剂和缺陷层
DOI：
10.1016/0168-583x(89)90331-5
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Wong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Cheung;C. Liang;B. Liew;R. Mutikainen;H. Wong
