Au-Catalyst Induced Low Temperature(~ 250oC) Layer Exchange Crystallization for SiGe On Insulator
Au-Catalyst Induced Low Temperature(~ 250oC) Layer Exchange Crystallization for SiGe On Insulator
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Au 催化剂诱导绝缘体上 SiGe 的低温（~ 250oC）层交换结晶
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Sadoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.-H. Park;M. Kurosawa;N. Kawabata;M. Miyao;and T. Sadoh
