Interface shapes and thermal fields during the gradient solidification method growth of sapphire single crystals
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DOI：
10.1016/0022-0248(96)00207-2
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发表时间：
1996-09
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Brandon;D. Gazit;A. Horowitz
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Brandon;D. Gazit;A. Horowitz
