作製プロセスを簡略化したMOS電界効果トランジスタの作製と評価
作製プロセスを簡略化したMOS電界効果トランジスタの作製と評価
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简化制作工艺的MOS场效应晶体管的制作与评估
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
冨田昌吾，辻琢人，長岡史郎，大谷真弘，若原昭浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tsuji;S. Nagaoka;M. Ohtani;and A. Wakahara;冨田昌吾，辻琢人，長岡史郎，大谷真弘，若原昭浩
