極薄Ge-on-Insulator(GOI)n-チャネルMOSFETの電流駆動力
極薄Ge-on-Insulator(GOI)n-チャネルMOSFETの電流駆動力
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超薄绝缘体上Ge (GOI) n沟道MOSFET的电流驱动功率
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
土屋 英昭
中科院分区：
文献类型：
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作者：
東 祐介;森 隆志;土屋 英昭
