Fabrication of Highly Integrated Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors
Fabrication of Highly Integrated Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors
复制标题
高度集成石墨烯纳米带场效应晶体管的制造
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Hatakeyama and T. Kaneko
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Kato;R. Hatakeyama and T. Kaneko
