Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(~ 250oC)
Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(~ 250oC)
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通过金诱导层交换生长法低温形成多晶硅/绝缘膜（~ 250oC）
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
朴鍾.,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.-H. Park;M. Kurosawa;N. Kawabata;M. Miyao;and T. Sadoh;川畑直之,黒澤昌志,朴鍾.,佐道泰造,宮尾正信;朴鍾.,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造
