Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs
Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs
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界面处的偶极子散射：SiC MOSFET 中观察到的低迁移率的根源
DOI：
10.1063/5.0086172
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发表时间：
2022
影响因子：
3.2
通讯作者：
Harada Shinsuke
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hatakeyama Tetsuo;Hirai Hirohisa;Sometani Mitsuru;Okamoto Dai;Okamoto Mitsuo;Harada Shinsuke
