イオン液体で実現する高性能抵抗可変型メモリ(CB-RAM)
イオン液体で実現する高性能抵抗可変型メモリ(CB-RAM)
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使用离子液体实现的高性能可变电阻存储器（CB-RAM）
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
木下健太郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
伊藤敏幸;野上敏材;早瀬修一;木下健太郎
