GaN/AlN Schottky-gate p-channel HFETs with InGaN contacts and 100 mA/mm on-current
GaN/AlN Schottky-gate p-channel HFETs with InGaN contacts and 100 mA/mm on-current
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具有 InGaN 触点和 100 mA/mm 导通电流的 GaN/AlN 肖特基栅极 p 沟道 HFET
DOI：
10.1109/iedm19573.2019.8993532
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jena, D.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bader, S. J.;Chaudhuri, R.;Hickman, A.;Nomoto, K.;Bharadwaj, S.;Then, H. W.;Xing, H. G.;Jena, D.
