New p-type oxide semiconductor with tunable band gap, Sn2(Nb2-xTax)O7.
New p-type oxide semiconductor with tunable band gap, Sn2(Nb2-xTax)O7.
复制标题
带隙可调的新型p型氧化物半导体Sn2(Nb2-xTax)O7。
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Keishi Nishio
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Akane Samizo;Naoto Kikuchi;Yoshihiro Aiura;Keishi Nishio
