R.Kobayashi, K.Fujii and F.Hasegawa: "Etching of GaAs and AlGaAs by H^<**> radical produced with a tungsten" Inst.Phys.Conf.Ser.No.120 Proc.of GaAs and Related Compounds, Seattle. No.120. 43-48 (1992)
R.Kobayashi, K.Fujii and F.Hasegawa: "Etching of GaAs and AlGaAs by H^<**> radical produced with a tungsten" Inst.Phys.Conf.Ser.No.120 Proc.of GaAs and Related Compounds, Seattle. No.120. 43-48 (1992)
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R.Kobayashi、K.Fujii 和 F.Hasekawa：“用钨产生的 H^<**> 自由基蚀刻 GaAs 和 AlGaAs”Inst.Phys.Conf.Ser.No.120 Proc.of GaAs 和相关化合物，
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