Uniaxially strained Si/Ge heterostructures grown on selectively ion-implanted substrates
Uniaxially strained Si/Ge heterostructures grown on selectively ion-implanted substrates
复制标题
在选择性离子注入衬底上生长的单轴应变 Si/Ge 异质结构
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Shiraki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Sawano;Y. Shoji;N. Funabashi;E. Yonekura;K. Nakagawa;Y. Shiraki
