Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination
Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination
复制标题
准分子紫外光照射导致 NO 氮化 SiC MOS 器件的退化
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Fujimoto;T. Kobayashi;M. Sometani;M. Okamoto;T. Shimura;H. Watanabe
