4H-SiC 射频MESFET中陷阱参数的提取方法
4H-SiC 射频MESFET中陷阱参数的提取方法
复制标题
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wang Yue-Hu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Yu-Ming;Zhang Yi-Men;Chen Liang;Che Yong;Lu Hong-Liang;Wang Yue-Hu
