Reverse-Bias Stress-Induced Electrical Parameters Instability in 4H-SiC JBS Diodes Terminated Nonequidistance FLRs
Reverse-Bias Stress-Induced Electrical Parameters Instability in 4H-SiC JBS Diodes Terminated Nonequidistance FLRs
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4H-SiC JBS 二极管端接非等距 FLR 中反向偏压应力引起的电气参数不稳定
DOI：
10.1109/ted.2019.2931737
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发表时间：
2019
影响因子：
3.1
通讯作者：
Yuming Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Qingwen Song;Hao Yuan;Qiujie Sun;Chao Han;Xiaoyan Tang;Yimeng Zhang;Lei Yuan;Shuai Yang;Yuming Zhang
