Flow‐rate modulation epitaxy of GaAs and AlGaAs
Flow‐rate modulation epitaxy of GaAs and AlGaAs
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GaAs 和 AlGaAs 的流量调制外延
DOI：
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Horikoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Kobayashi;T. Makimoto;Y. Yamauchi;Y. Horikoshi
流量调制外延（FME）是一种新的外延生长方法，可以产生非常平坦的异质界面和尖锐的掺杂分布。本文描述了 FME 生长条件以及 FME 生长的 GaAs、AlGaAs 层和 GaAs/AlGaAs 单量子阱异质结构的电学和光学性质。 FME 可以降低生长温度而不损害晶体质量，并且可以产生比金属有机化学气相沉积方法更平坦的异质界面。硅烷在 Ga 原子表面上的催化分解有效地将硅掺杂到具有尖锐轮廓的 GaAs 和 AlGaAs 中。对于p型掺杂，三甲基金属有机源产生碳原子层掺杂，无记忆效应且碳扩散系数低。使用 FME 生长调制掺杂异质结构和异质结构双极晶体管的实验证明，FME 是生产具有薄层结构的 III-V 族半导体器件的有前途的方法。
Flow‐rate modulation epitaxy (FME) is a new epitaxial growth method which can produce a very flat heterointerface and a sharp doping profile. This paper describes FME growth conditions and electrical and optical properties of FME‐grown GaAs, AlGaAs layers, and GaAs/AlGaAs single‐quantum‐well heterostructures. FME can reduce growth temperatures without deteriorating the crystalline quality and can produce flatter heterointerfaces than the metalorganic chemical vapor deposition method. The catalytic decomposition of silane on the Ga atomic surface efficiently dopes silicon into GaAs and AlGaAs with sharp profiles. For p‐type doping, trimethyl metalorganic sources produce carbon atomic layer doping with no memory effect and a low diffusion coefficient of carbon. Experiments using FME to grow modulation doped heterostructures and heterostructure bipolar transistors prove FME to be a promising method of producing III‐V semiconductor devices with thin‐layered structures.