Uncertainty in the temperature of silicon wafers measured by radiation thermometry based upon a polarization technique
Uncertainty in the temperature of silicon wafers measured by radiation thermometry based upon a polarization technique
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基于偏振技术的辐射测温法测量硅片温度的不确定度
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
後上敦史
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井内徹;後上敦史
