Electrolyte-gated Mott transistor with large switching ratio at room temperature
Electrolyte-gated Mott transistor with large switching ratio at room temperature
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室温下具有大开关比的电解质门控莫特晶体管
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Iwasa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I.H.Inoue;P.-H.Xiang;S.Asanuma;H.Yamada;H.Sato;H.Akoh;A.Sawa;M.Kawasaki;Y.Iwasa
