デュアルゲート構造による高分子半導体トランジスタの実効移動度とスイッチング特性の向上
デュアルゲート構造による高分子半導体トランジスタの実効移動度とスイッチング特性の向上
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利用双栅极结构提高聚合物半导体晶体管的有效迁移率和开关特性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
時任静士
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田村真貴;塩飽黎;竹田泰典;村瀬友英;松井弘之;時任静士
