T.Ushiki, M.Yu, Y.Hirano, H.Shimada, M.Morita, T.Ohmi: "Reliable Tantalum-Gate Fully-Depleted-SOI MOSFET Technology Featuring Low-Temperature Processing" IEEE Trans.on Electron Devices. 44・9. 1467-1472 (1997)
T.Ushiki, M.Yu, Y.Hirano, H.Shimada, M.Morita, T.Ohmi: "Reliable Tantalum-Gate Fully-Depleted-SOI MOSFET Technology Featuring Low-Temperature Processing" IEEE Trans.on Electron Devices. 44・9. 1467-1472 (1997)
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T.Ushiki、M.Yu、Y.Hirano、H.Shimada、M.Morita、T.Ohmi：“具有低温处理功能的可靠钽栅全耗尽型 SOI MOSFET 技术”IEEE Trans.on Electron 器件。・9。1467-1472（1997）
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