"Selection Mechanism of Band Alignment in 2D p+/n Tunnel FET",
"Selection Mechanism of Band Alignment in 2D p+/n Tunnel FET",
复制标题
“2D p /n 隧道 FET 中能带对准的选择机制”，
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Nakamura,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
伊藤旺成，伊藤駿佑，毛利柊太郎，山口豪太;三村秀和;H. Kawamoto,;工藤悠佑，山口豪太，山本祥大，内田大悟，三村秀和;K. Nakamura,
