Electroluminescence under the gate region using AlGaN/GaN HEMT with a transparent gate electrode
Electroluminescence under the gate region using AlGaN/GaN HEMT with a transparent gate electrode
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使用具有透明栅电极的 AlGaN/GaN HEMT 在栅极区域下进行电致发光
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Egawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Narita;Y. Fujimoto;A. Wakejima;T. Egawa
