Maskless selective growth and doping of GaAs using a low energy focused ion beam for in-situ micro-device structures fabrication, and its evaluation
Maskless selective growth and doping of GaAs using a low energy focused ion beam for in-situ micro-device structures fabrication, and its evaluation
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使用低能量聚焦离子束的 GaAs 无掩模选择性生长和掺杂用于原位微器件结构制造及其评估
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Pak
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Nishiyama;E.M.Kim;K.Numata;K.Pak
