Local Spin Susceptibility Characteristic of Zero-Gap State of α-(BEDT-TTF)2I3 under Pressure
Local Spin Susceptibility Characteristic of Zero-Gap State of α-(BEDT-TTF)2I3 under Pressure
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α-(BEDT-TTF)2I3 压力下零间隙态局域自旋敏感性特征
DOI：
10.1143/jpsj.79.104704
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发表时间：
2010
影响因子：
1.7
通讯作者：
Toshihiro Takahashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Takano;K. Hiraki;Y. Takada;H. Yamamoto;Toshihiro Takahashi
我们在压力下对α-(BEDT-TTF) 2 I 3 的金属态进行了 13 C-NMR 测量，以确定每个 BEDT-TTF 分子位点的局部自旋敏感性。我们发现，随着压力下接近零间隙状态（ZGS），晶胞中分子与分子之间的局部磁化率变得非常不同。这与分子位点[命名为A(A')、B和C]之间的电荷歧化有关。我们确认带正电最多/最少的位点 B/C 分子具有最小/最大的局部磁化率。我们还证实了低温下局部磁化率的线性温度依赖性。这些结果与理论计算[Eur.物理。 J. B 67 (2009) 139]并且应该被视为ZGS的特征。
We performed 13 C-NMR measurements in the metallic state of α-(BEDT-TTF) 2 I 3 under pressure to determine the local spin susceptibility at each BEDT-TTF molecular site. We found that the local susceptibility becomes quite different from molecule to molecule in a unit cell with approach to the zero-gap state (ZGS) under pressure. This is related to the charge disproportionation among molecular sites [named A (A'), B, and C]. We confirmed that the most/least positively charged site, the B/C molecule, carries the smallest/largest local susceptibility. We also confirmed the linear temperature dependence of the local susceptibility at low temperatures. These results are consistent with the theoretical calculation [Eur. Phys. J. B 67 (2009) 139] and should be considered as the characteristics of the ZGS.
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