超臨界流体堆積法を用いた強誘電体メモリ用Bi4Ti3O12の均一製膜
超臨界流体堆積法を用いた強誘電体メモリ用Bi4Ti3O12の均一製膜
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超临界流体沉积法均匀成膜铁电存储器Bi4Ti3O12
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
チョウ ユウ，百瀬 健，霜垣 幸浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
北浦 諒一;高橋 麻里;Priyank Mohan;Derrick Mott;前之園 信也;チョウ ユウ，百瀬 健，霜垣 幸浩
