Influence of oxygen and methane plasma on the electrical properties of undoped AlGaN/GaN heterostructures for high power transistors
Influence of oxygen and methane plasma on the electrical properties of undoped AlGaN/GaN heterostructures for high power transistors
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氧和甲烷等离子体对高功率晶体管未掺杂 AlGaN/GaN 异质结构电性能的影响
DOI：
10.1016/s0038-1101(00)00085-x
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发表时间：
2000
影响因子：
1.7
通讯作者：
M. Stutzmann
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Dimitrov;V. Tilak;W. Yeo;B. Green;Hyungtak Kim;J. Smart;E. Chumbes;J. Shealy;W. Schaff;L. Eastman;C. Miskys;O. Ambacher;M. Stutzmann
