Shigeo HATATANI: "MOMBE Growth of InGaP on(100)and(411)A GaAs Substrates using Tertiarybutylphosphine(TBP)" J.Crystal Growth. 188. 17-20 (1998)
Shigeo HATATANI: "MOMBE Growth of InGaP on(100)and(411)A GaAs Substrates using Tertiarybutylphosphine(TBP)" J.Crystal Growth. 188. 17-20 (1998)
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Shigeo HATATANI：“使用叔丁基膦 (TBP) 在 (100) 和 (411)A GaAs 衬底上进行 InGaP 的 MOMBE 生长”J.Crystal Growth。
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