Generation of electrical damage in n-GaN films following treatment in a CF4 plasma
Generation of electrical damage in n-GaN films following treatment in a CF4 plasma
复制标题
CF4 等离子体处理后 n-GaN 薄膜中产生电损伤
DOI：
10.7567/apex.10.116201
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发表时间：
2017
影响因子：
2.3
通讯作者：
Niibe Masahito
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nakano Yoshitaka;Kawakami Retsuo;Niibe Masahito
