アモルファスTi-Si-NおよびHf-Si-N MOSゲート電極の結晶構造と抵抗率の窒素濃度依存性
アモルファスTi-Si-NおよびHf-Si-N MOSゲート電極の結晶構造と抵抗率の窒素濃度依存性
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非晶 Ti-Si-N 和 Hf-Si-N MOS 栅电极晶体结构和电阻率的氮浓度依赖性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
財満鎭明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
近藤博基;宮本和明;古米孝平;坂下満男;財満鎭明
