Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant-Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure
Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant-Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure
复制标题
高Ge分数Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结空穴谐振隧道二极管负微分电导特性的改进
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J.Murota
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Seo、K.Takahashi、M.Sakuraba;J.Murota
