Crystalline quality of GaAs1-xBix grown below 250 °C using molecular beam epitaxy
Crystalline quality of GaAs1-xBix grown below 250 °C using molecular beam epitaxy
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使用分子束外延在 250 °C 以下生长的 GaAs1-xBix 的晶体质量
DOI：
10.35848/1882-0786/ac5ba5
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发表时间：
2022
影响因子：
2.3
通讯作者：
Fumitaro Ishikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoriko Tominaga;Yukihiro Horita;Yuto Takagaki;Fumitaka Nishiyama;Mitsuki Yukimune;Fumitaro Ishikawa
