Fabrication of Strained Ge-on-Insulator for Ge-based Optoelectronic Devices
Fabrication of Strained Ge-on-Insulator for Ge-based Optoelectronic Devices
复制标题
用于Ge基光电器件的绝缘体上应变Ge的制造
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Maruizumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Sawano;T. Nagashima;H. Hashimoto;X. Xu;K. Hamaya;and T. Maruizumi
