水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱現象を利用した多結晶Si形成技術とデバイスへの応用
水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱現象を利用した多結晶Si形成技術とデバイスへの応用
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氢自由基选择性加热过渡金属多晶硅形成技术及其在器件中的应用
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中家大希
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Naomi Hirayama;Akira Endo;Kazuhiro Fujita;Yasuhiro Hasegawa;Naomichi Hatano;Hiroaki Nakamura;Ry. en Shirasaki;Kenji Yonemitsu;中家大希
