Room-Temperature epitaxial Growth of Indium tin oxide thin films on Si substrates with an epitaxial CeO_2 ultrathin buffer
Room-Temperature epitaxial Growth of Indium tin oxide thin films on Si substrates with an epitaxial CeO_2 ultrathin buffer
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使用外延CeO_2超薄缓冲剂在Si衬底上室温外延生长氧化铟锡薄膜
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Yoshimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Tashiro;A.Sasaki;Aiba;S.Sato;T.Watanabe;H.Funakabe;M.Yoshimoto
