AlNバッファ層を用いたグラフェン/SiC基板上におけるGaN成長
AlNバッファ層を用いたグラフェン/SiC基板上におけるGaN成長
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使用 AlN 缓冲层在石墨烯/SiC 衬底上生长 GaN
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
日比野浩樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
福家聖也;佐々木拓生;川合良知;日比野浩樹
