Single-electron transfer through purposely designed dopant arrays in silicon
Single-electron transfer through purposely designed dopant arrays in silicon
复制标题
通过专门设计的硅掺杂剂阵列进行单电子转移
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Daniel Moraru
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Naka;H. Yu;A. Shishido;T. Ikeda;Koki Makabe;木下 充;Daniel Moraru
