部家彰, 他: "IBSD法による次世代半導体材料(β-FeSi_2膜)の開発"石川県工業試験場研究報告. 52. 9-12 (2003)
部家彰, 他: "IBSD法による次世代半導体材料(β-FeSi_2膜)の開発"石川県工業試験場研究報告. 52. 9-12 (2003)
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Akira Beke等人：“利用IBSD法开发下一代半导体材料（β-FeSi_2薄膜）”石川县工业研究所研究报告52. 9-12（2003年）。
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