Si基板上GaN結晶成長におけるAlN中間層を用いた応力制御のメカニズム
Si基板上GaN結晶成長におけるAlN中間層を用いた応力制御のメカニズム
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Si衬底上GaN晶体生长中AlN中间层的应力控制机制
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木道洋，中村亮裕，杉山正和，中野義昭
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Suzuki;A. Nakamura;M. Sugiyama;and Y. Nakano;鈴木道洋，中村亮裕，杉山正和，中野義昭
