Integrated BiCMOS 10 GHz S-Parameter Module

Integrated BiCMOS 10 GHz S-Parameter Module
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集成 BiCMOS 10 GHz S 参数模块

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
影响因子：
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通讯作者：
W. Eisenstadt
W. Eisenstadt
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Jangsup Yoon;R. Fox;W. Eisenstadt

文献摘要

被引文献

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本文介绍了用于执行射频/微波信号增益和相位检测的集成 BiCMOS 10 GHz s 参数测量电路。潜在应用包括嵌入式 IC 测试和生产 IC 测试
The paper presents integrated BiCMOS 10 GHz s-parameter measurement circuits for performing RF/microwave signal gain and phase detection. Potential applications include embedded IC test and production IC test