Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
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Mg/Ga和V/III源比对金属有机气相外延生长N极p型GaN空穴浓度的影响
DOI：
10.7567/jjap.55.05fe01
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Nonoda;K. Shojiki;T. Tanikawa;S. Kuboya;R. Katayama;and T. Matsuoka
