Possible magnetoresistance effect in abrupt ferromagnetic semiconductor n-n heterojunction
Possible magnetoresistance effect in abrupt ferromagnetic semiconductor n-n heterojunction
复制标题
突变铁磁半导体 n-n 异质结中可能的磁阻效应
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
3.3
通讯作者：
Tang, Xiao-Li
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jing, Yu-Lan;Zhang, Huai-Wu;Tang, Xiao-Li
